华纳海姆，越南在神话中华纳神族居住的地方。

上底有多高（e）典型B型异质结构的STEM图像。（k，越南l）从（h）中的虚线正方形生成的FFT图。

上底有多高（g）（e）中青绿色虚线矩形区域的放大的原子分辨率HAADF-STEM图像。具有高表面能的fcc层错/孪晶区域和2H结构提供了基础，越南而对反应条件的精确调控保证了合成的成功。截止于2021年3月，上底有多高基于WebofScience和谷歌学术的统计数据，张华教授的文章分别被引85,000余次（H因子为143）和99,700余次（H因子为153）。

（d-f） 2H/fcc边缘（d）、越南2H/fcc基面（e）和fcc边缘（f）的原子分辨率HAADF-STEM图像。上底有多高（h-j）分别从（d-f）中的虚线正方形生成的FFT图。

通过调控反应条件，越南Rh纳米棒外延生长在2H/fcc异相Au纳米片上，形成了三种类型的1D/2DRh-Au异质结构。

利用1D/2D几何结构和具有丰富缺陷的2H/fcc异相结构，上底有多高C型1D/2DRh-Au异质结构对酸性介质中的电化学HER表现出良好的催化性能。以上工作鼓励我们进一步开发更有效的界面修饰分子，越南达到改善钙钛矿薄膜质量、钝化界面缺陷及释放界面应力的目的。

上底有多高（f）SnO2和KPF6/SnO2薄膜的FTIR光谱。越南以上工作表明通过界面工程来释放界面应力是一种行之有效的方法。

因此，上底有多高含分子阴离子的界面修饰分子有望进一步提高器件的效率和稳定性。越南（b）glass/ITO/SnO2/KPF6/钙钛矿的ToF-SIMS深度分布。